Uni / Název projektu	Kvalita
Výkonové polovodičové prvky	81,5 %
Tranzistor JFET	80,6 %
Bipolární tranzistory	80,2 %
Tranzistorový můstek bipolární a unipolární střídání	78,8 %
Měření dynamických parametrů bezkontaktního spínače s tranzistory IGBT	75,2 %
Měření zesilovače s jedním tranzistorem	73,7 %
Bipolární tranzistory	70,9 %
Unipolární tranzistory	68,0 %