Prezentace: Tranzistor JFET
Skrýt detaily | Oblíbený- Kvalita:80,6 %
- Typ:Prezentace
- Univerzita:České vysoké učení technické v Praze
- Fakulta:Fakulta elektrotechnická
- Kategorie:Technika
- Podkategorie:Technologie
- Předmět:Výkonové součástky a technologie
- Autor:agata.kucova
- Ročník:2. ročník
- Rozsah A4:13 strán
- Zobrazeno:999 x
- Stažené:0 x
- Velikost:0,7 MB
- Formát a přípona:PDF dokument (.pdf)
- Jazyk:český
- ID projektu:6112
- Poslední úprava:06.07.2015
TRANZISTOR JFET
Odpor vodivého kanálu mezi elektrodami drain a source, na kterém není přechod, je ovládán napětím na elektrodě gate
Běžná konstrukce: ochuzovaný kanál
- substrát s vodivostí P
- vestavěný kanál vodivosti N
- hradlo s vodivostí P, přiložením záporného napětí jsou vytlačovány nosiče z kanálu
KONSTRUKCE
Vyloučení vzniku neřízeného kanálu- oblast drain je ze všech stran uzavřena hradlem
Systém je vytvořen na substrátu s vodivostí P epitaxí jsou naneseny 2 vrstvy:
vestavěný kanál N
hradlo P
V rovině je systém ohraničen hlubokými difúzemi P
Difúze N omezuje oblast hradla a vytváří propojení kanálu se spojovací sítí na povrchu destičky
Odpor vodivého kanálu mezi elektrodami drain a source, na kterém není přechod, je ovládán napětím na elektrodě gate
Běžná konstrukce: ochuzovaný kanál
- substrát s vodivostí P
- vestavěný kanál vodivosti N
- hradlo s vodivostí P, přiložením záporného napětí jsou vytlačovány nosiče z kanálu
KONSTRUKCE
Vyloučení vzniku neřízeného kanálu- oblast drain je ze všech stran uzavřena hradlem
Systém je vytvořen na substrátu s vodivostí P epitaxí jsou naneseny 2 vrstvy:
vestavěný kanál N
hradlo P
V rovině je systém ohraničen hlubokými difúzemi P
Difúze N omezuje oblast hradla a vytváří propojení kanálu se spojovací sítí na povrchu destičky